碳化硅晶體不僅與GaN 外延膜的晶格匹配，具有藍色發光特性，可以制作白光LED，而且碳化硅襯底的導熱性能（導熱系數為490W/(m·K)）要比藍寶石襯底高出10倍以上，有利于制作對散熱要求高、面積較大的大功率LED器件。據報道，碳化硅作為LED襯底材料的市場份額僅次于藍寶石襯底材料，全球4英寸襯底產能為2000片/月，預計2014-2015年可達6000片/月。SiC襯底市場以美國Cree公司為領頭羊，日本新日鐵和羅姆并駕齊驅位列第二集團，而國內發展則相對滯后。

       近年來，中科院上海硅酸鹽研究所在國家科技專項的支持下，建成了SiC“晶體生長—晶體加工—檢測表征—清洗封裝”中試生產線，造就了一支高水平的碳化硅研發團隊，成為我國擁有自主知識產權的SiC晶體材料重要研發基地。計劃2012年初開始向市場批量提供2英寸LED用SiC晶體，2012年底開始提供3~4英寸LED用SiC晶體，可推動現售導電型SiC晶片的市場價格進一步下降。